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  • SD23P202

    事情电压

    2.4~3.6V

    2.4~3.6V

    事情电流

    1.2mA

    1.2mA

    ROM

    16k Bytes OTP

    16k Bytes OTP

    SRAM

    512 Bytes

    512 Bytes

    封装

    QFN40

    QFN40
    芯片形貌

       本芯片是带24位ADC的SOC产物,法式存储器为16k Bytes OTP,超低功耗设计,使用内部RC振荡器的4分频事情,3V事情电压下,典型应用时的事情电流只有1.5mA。

       外围资源富厚:RTC,UART,可选的多种稳压电源输出,无邪设置的PGIA?,升压?,带有CAPTURE功效的TIMER,PWMPFD输出?,LCD驱动等。

       本产物带16k Bytes OTP,可以低压自烧录,烧录电压规模:2.4~3.6V,可以替换EERPOM使用。

       MCU提供三种事情模式让用户可以在事情效率和能量消耗方面获得最佳选择,三种模式是:正常事情模式、待机模式、休眠模式。




    芯片特点
    • 高精度ADC,ENOB = 21.0bits@8sps, 4个差分通道或8个单端通道

    • 低噪声高输入阻抗前置放大器,1、4、8、16、32、64、128、256倍增益可选

    • 内置1路OPA

    • 内置基准,温漂小于50ppm

    • 8位RISC超低功耗MCU,49条指令,6级客栈,在2MHz事情时钟,MCU部门在3V 事情电压下电流典型值为400μA; 32kHz时钟待机模式下事情电流1.5μA,休眠模 式电流小于1μA

    • 16k Bytes OTP法式存储器,512 Bytes SRAM 数据存储器

    • 低压烧录功效,可以替换外部EEPROM

    • 无邪的电池检测功效,检测规模2.0~3.3V

    • RTC?,可以盘算年、月、星期、日、时、分、秒,可以自动举行闰年盘算

    • 富厚的外围资源:UART,PWM,PDM,PFD,CAPTURE,TIMER

    • 最大18SEG×4COM、17SEG×5COM、16SEG×6COM、14SEG×8COM液晶驱动 电路,超低功耗和大驱动能力设计;内含程控升压?,可以在低压条件下维持高 亮显示,支持灰度调治

    • 8bits DAC

    • 所有I/O带施密特触发输入及选择上拉电阻

    • 掉电检测电路和上电复位电路

    • 事情电压规模:2.4~3.6V

    • 事情温度规模:-40~125℃

    • 内部8MHz与32kHz RC振荡器

    芯片框图
    应用领域
    智能变送器

    流量计

    温度变送器

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